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    • 专利摘要:
    一種基板乾燥裝置。此裝置可包括：處理室，其經配置以便具有一內部空間；基板支撐構件，其位於處理室內，用以支撐基板；第一供應口，其經配置以便供應超臨界流體到內部空間的位於基板下方的區域；第二供應口，其經配置以便供應超臨界流體到內部空間的位於基板上方的其他區域；以及流體排放口，其經配置以便將超臨界流體從處理室排放到外界。
    公开号:TW201324598A
    申请号:TW101145491
    申请日:2012-12-04
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Hyo-San Lee；Yong-Sun Ko；Kyoung-Seob Kim；Kwang-Su Kim；Seok-Hoon Kim；Kun-Tack Lee；Yong-Myung Jun；Yong-Jhin Cho
    申请人:Samsung Electronics Co Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    處理基板的裝置及其方法【相關專利申請案之交叉參考】
    此美國非臨時專利申請案主張2011年12月7日於韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2011-0130385號在35 U.S.C.§119下的優先權，其全部內容在此併入本文作為參考。
    本發明是有關於處理基板的裝置，且特別是有關於使用超臨界流體(supercritical fluid)來乾燥基板的裝置。
    半導體元件的製造包括從基板或晶圓(wafer)上移除污染物的清潔製程。清潔製程的構成包括：化學處理步驟，使用化學材料從基板上移除污染物；沖洗步驟，使用沖洗液從基板上移除化學材料；以及乾燥步驟，使基板上的沖洗液變乾。
    在乾燥步驟中，可將有機溶劑供應到基板表面以取代沖洗液，然後可對基板加熱。然而，若半導體元件包括小寬度電路圖案，則可能會發生圖案崩陷現象，即電路圖案在乾燥步驟過程中被毀壞。
    本發明的各實施例提供用來有效乾燥基板的裝置及其方法。
    依照本發明的各實施例，一種基板乾燥裝置可包括：處理室，其經配置以便具有一內部空間；基板支撐構件，其位於處理室內，以便支撐著基板；第一供應口(port)，其經配置以便供應超臨界流體到內部空間的位於基板下方的區域；第二供應口，其經配置以便供應超臨界流體到內部空間的位於基板上方的其他區域；以及流體排放口，其經配置以便將超臨界流體從處理室排放到外界。
    依照本發明的其他各實施例，一種乾燥基板的方法可包括：增壓步驟，供應超臨界流體到處理室內，使得處理室的內部壓力升至大氣壓以上；以及乾燥步驟，供應超臨界流體到處理室的位於基板上方的上方內部空間。增壓步驟可包括供應超臨界流體到處理室的位於基板下方的下方內部空間。
    下面將參照所附圖式來更全面地敍述本發明的各實施例，其中各實施例繪示於所附圖式中。然而，本發明的各實施例也可表現為許多不同的形態，而不應理解為侷限於本文所列舉的實施例。確切地講，提供這些實施例是為了使揭露的內容更透徹更完整，且將各實施例之概念全面傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。在這些圖式中，為清楚起見，各層及各區域的厚度被放大。圖式中相同的元件符號代表相同的元件，故將不再贅述。
    容易理解的是，當提到一元件“連接”或“耦接”到另一元件時，此元件可直接連接或耦接到另一元件，也可能存在著介入元件。相反，當提到一元件“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時，則不存在介入元件。在整個圖式中，相同的符號代表相同的元件。如本文所用的術語“及/或”包括一個或一個以上的相關列舉項的任意及全部組合。其他用來表述各元件或各層之間關係的詞語應按相同方式來理解(例如，“介於......之間”相對於“直接介於......之間”、“與......相鄰”相對於“與......直接相鄰”、“位於......上”相對於“直接位於......上”)。
    容易理解的是，雖然本文可使用術語“第一”、“第二”等來敍述各元件、構件、區域、層及/或區段，但這些術語並非對這些元件、構件、區域、層及/或區段的限定。這些術語只是用來區分一個元件、構件、區域、層或區段與另一元件、構件、區域、層或區段。因此，在不脫離各實施例之教示的前提下，下文所提及的第一元件、構件、區域、層或區段也可稱為第二元件、構件、區域、層或區段。
    為了便於敍述，本文會使用與空間有關的術語(如“在......下方”、“在......下面”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等等)來敍述如圖所示的一個元件或結構特徵相對於其他元件或結構特徵的關係。容易理解的是，對於正在使用或正在操作的設備而言，與空間有關的術語除了包含如圖所示的方位外，也包含不同的方位。舉例而言，若將圖式中的設備翻過來，則原本位於其他元件或結構特徵“下面”或“下方”的元件將變成位於其他元件或結構特徵的“上方”。因此，作為示範的術語“下方”可包含上方和下方這兩種方位。設備也可採用其他方式定位(旋轉90度或其他方位)，且按相同方式來理解本文所用的與空間有關的解說詞。
    本文所用的術語只是為了敍述具體實施例，而非意圖限制實施例。如本文所用的單數形式“一”、“一種”及“所述”也應包括複數形式，除非文中另行明確指出。更容易理解的是，若本文使用術語“包括”及/或“包含”，則表明存在著指定的結構特徵、整體、步驟、操作、元件及/或構件，但並不排除存在或增加一個或一個以上的其他結構特徵、整體、步驟、操作、元件、構件及/或其群組。
    本文是參照各剖面圖來敍述本發明的各實施例，這些剖面圖是各實施例的理想化實施方案(及中間結構)的示意圖。如此一來，由(例如)製造技術及/或公差而引起的圖式形狀的變動應在預料當中。因此，本發明的各實施例不應理解為侷限於本文所述的各區域的具體形狀，而是應當包括因(例如)製造而引起的形狀偏差。舉例而言，繪示為矩形的植入區域可具有圓形或曲線形結構特徵，及/或其邊緣處具有植入濃度梯度，而不是從植入區域到非植入區域的雙態變化。同理，透過植入而形成的埋入(buried)區域會導致在此埋入區域與發生植入的表面之間的區域受到一定程度的植入。因此，如圖所示的各區域本質上是示意圖，其形狀並非意圖繪示設備的區域的實際形狀，也並非意圖限制各實施例的範圍。
    除非另行規定，否則本文所用的全部術語(包括技術及科學術語)的含義都與本發明之實施例所屬之技術領域中具有通常知識者普遍理解的含義相同。更容易理解的是，如通用字典中定義的那些術語應當理解為其含義與先前技術中這些術語的含義相同，而不應理解得理想化或過於正式，除非本文有此明確規定。
    圖1是依照本發明之各實施例的一種基板處理裝置的剖面圖，且圖2是圖1之處理室在密封狀態下的剖面圖。
    請參照圖1與圖2，基板處理裝置10可經配置以便乾燥已執行完沖洗製程的晶圓或基板W。在各實施例中，基板處理裝置10可經配置以便使用超臨界流體來乾燥晶圓W。超臨界流體可用來溶解並乾燥沖洗製程後可能殘留在晶圓W表面上的沖洗液(例如，有機溶劑)的沈渣(dregs)。在各實施例中，超臨界流體可以是超臨界狀態的二氧化碳(CO2)。二氧化碳在30℃或以上的溫度以及7.4 MPa或以上的壓力下達到其超臨界狀態。為簡潔起見，接下來的敍述將參考本實施例的一實例，在此例中超臨界流體是超臨界狀態的二氧化碳。
    基板處理裝置10可包括處理室100、基板支撐構件200、第一供應口310、第二供應口320、流體排放口330以及阻隔板340。
    處理室100可提供一空間，對晶圓W執行的乾燥製程將在此空間內進行。舉例而言，處理室100可提供內部空間101。處理室100可經配置以便能夠耐受高於所用超臨界流體的臨界溫度和臨界壓力的溫度和壓力。處理室100可包括上處理室110、下處理室120以及處理室驅動部件130。
    上處理室110可經配置以便具有一個底部閉放的空間。在各實施例中，上處理室110的上壁可用作處理室100的上壁102。上處理室110的側壁可用作處理室100的側壁103的一部分。
    下處理室120可位於上處理室110的下方。在各實施例中，下處理室120可經配置以便具有一個頂部開放的空間。下處理室120的開放頂部可朝著上處理室110的開放底部。下處理室120的下壁可用作處理室100的下壁104。下處理室120的側壁可用作處理室100的側壁103的一部分。
    處理室驅動部件130可經配置以便垂直移動上處理室110與下處理室120的至少其一。處理室100的內部空間101可藉由上處理室110或下處理室120的垂直移動而打開或關閉。在各實施例中，處理室驅動部件130可經配置以便：當晶圓W被裝載到處理室100或從處理室100被卸載時，打開處理室100的內部空間101；以及當對晶圓W實施乾燥步驟時，關閉處理室100的內部空間101。在一些實施例中，處理室驅動部件130可經配置以便沿著垂直方向來移動下處理室120。
    處理室驅動部件1300可包括導杆131、升降杆132以及驅動器133。導杆131可經配置以便連接上處理室110的下部與下處理室120的上部，另外還引導下處理室120移動，使得下處理室120的上部與上處理室110的下部能夠相互接觸以使處理室100的內部空間101密封。升降杆132可位於下處理室120的下部的下方，且經配置以便利用驅動器133的驅動力來使下處理室120上下移動。驅動器133可經配置以便密封處理室100，即使處理室100的內部空間101因超臨界流體而處於高壓狀態。在各實施例中，驅動器133可採用液壓設備。
    在處理室100的上壁102、側壁103以及下壁104的至少其一內，可以埋入方式提供加熱器(未繪示)。處理室100可由加熱器進行加熱，使得處理室100的溫度能夠保持高於處理室100中的超臨界流體的臨界溫度。
    處理室100的下壁104可經成形以便具有凹陷部位106。此凹陷部位106可經成形以便具有預定的深度。由於凹陷部位106的存在，處理室100可經成形以便具有不平坦的內底面105。
    處理室100可經成形以便具有傾斜的內側面108(以下稱之為“傾斜面”)。此傾斜面108可將處理室100的內底面105與處理室100的側表面107連接起來。由於傾斜面108的存在，從內底面105到側表面107，處理室100的內部空間101的寬度可增大。在各實施例中，傾斜面108的角度可介於約10°至約45°的範圍內。
    在處理室100內可提供基板支撐構件200來支撐著晶圓W。基板支撐構件200可經配置以便支撐著晶圓W的底面邊緣部位。舉例而言，晶圓W的下表面的中心部位可被基板支撐構件200暴露出來。在各實施例中，基板支撐構件200可與處理室100的上壁102垂直隔開。
    圖3是圖1之基板支撐構件的平面圖。
    請參照圖1至圖3，基板支撐構件200可包括至少一個豎杆210與至少一個橫杆220。豎杆210可經配置以垂直於處理室100的上壁102，且接合到處理室100的上壁102。在各實施例中，基板支撐構件200可包括一對水平方向相互隔開的豎杆210。
    在各實施例中，基板支撐構件200可包括一對橫杆220，每個橫杆可接合到對應的豎杆210之一的底端部位。橫杆220可以薄板的形式來提供，且可垂直於豎杆210。在橫杆220的上表面可提供支撐突起物(protrusion)230。此支撐突起物230可從橫杆220的上表面突起。每個橫杆220上可具有多個支撐突起物230。晶圓W可躺臥在支撐突起物230上，且由支撐突起物230支撐著其邊緣部位。
    超臨界流體可經由第一供應口310和第二供應口320而被供應到處理室100的內部空間101。第一供應口310可形成在處理室100的下壁104的中心附近。第一供應口310的流入孔311可經成形以便穿透處理室100的下壁104的形成有凹陷部位106的部位。在各實施例中，超臨界流體可經由第一供應口310而被供應到內部空間101的位於晶圓W下方的部分。
    第二供應口320可位於處理室100的上壁102的中心附近。超臨界流體可經由第二供應口320而被供應到內部空間101的位於晶圓W上方的部分。經由第二供應口320而供應的超臨界流體可被提供到晶圓W的上表面。
    流體排放口330可經配置以便將處理室100中的殘餘流體排放到外部空間。此流體排放口330可經配置以便穿透處理室100的下壁104。流體排放口330可與第一供應口310相鄰。在各實施例中，含有機溶劑的超臨界流體可經由流體排放口330而排出。流體排放口330可連接到再生裝置(未繪示)，此再生裝置可經配置以便從超臨界流體中分離出有機溶劑，但本發明之實施例可不限於此情形。
    阻隔板340可位於基板支撐構件200下方。在各實施例中，阻隔板340可以板的形式來提供。阻隔板340可包括上表面341、下表面342以及側表面343。上表面341可朝著下表面342且平行於下表面342而配置。上表面341的面積可大於下表面342的面積。當處理室100處於關閉狀態時，阻隔板340的上表面341可與晶圓W的下表面之間隔開預定的空間A。舉例而言，阻隔板340的上表面341與晶圓W的下表面之間的空間A可介於約0.2 cm至約1.0 cm的範圍內。下表面342可朝著處理室100的內底面105且平行於內底面105而配置。下表面342可與處理室100的內底面105之間隔開預定的空間。舉例而言，下表面342與處理室100的內底面105之間的空間可介於約0.1 cm至約2 cm的範圍內。側表面343可經配置以便連接上表面341與下表面342。在各實施例中，側表面343可以是傾斜的，以致於從下表面342向上到上表面341，阻隔板340的橫剖面面積可增大。側表面343可平行於傾斜面108。側表面343可與傾斜面108之間隔開預定的空間。舉例而言，側表面343與傾斜面108之間的空間可介於約0.1 cm至約20 cm的範圍內。
    阻隔板340的下表面342與處理室100的內底面105之間的空間可連接到阻隔板340的側表面343與處理室100的傾斜面108之間的空間，從而提供一個空間，使經由第一供應口310而供應的超臨界流體能夠流過。超臨界流體可被供應到阻隔板340的下表面342，然後經由阻隔板340與處理室100之間的空間而移動並擴散到處理室100的內部空間101。
    在阻隔板340的下方可提供至少一個支撐杆350來支撐著阻隔板340。舉例而言，多個支撐杆350可經配置以便相互隔開。支撐杆350的頂端部位可與阻隔板340相接合，而底端部位可躺臥在處理室100的內底面105上。在各實施例中，支撐杆350的底端部位可位於處理室100的內底面105的凹陷部位106內。
    下面將參照所附圖式來敍述一種使用上述基板處理裝置來乾燥基板的方法。依照本發明的各實施例，一種乾燥基板的方法可包括增壓步驟、乾燥步驟以及流體排放步驟。在增壓步驟中，超臨界流體可被供應到處理室100內，使得處理室100的內部壓力高於大氣壓。在乾燥步驟中，在升高的內部壓力條件下使用供應到晶圓W之上表面的超臨界流體來乾燥晶圓W。執行完乾燥步驟後，可執行流體排放步驟來將殘留在處理室100內的流體排出，從而使處理室100的內部壓力降低。
    圖4是依照本發明之各實施例來闡述增壓步驟的圖式。請參照圖4，超臨界流體L可經由第一供應口310而被供應到處理室100內。超臨界流體L可被供應到阻隔板340的下表面342，且流經阻隔板340與處理室100的下壁104之間的空間。阻隔板340能夠使經由第一供應口310而注射(injected)的超臨界流體L的流動發生改變。當超臨界流體L被直接注射到晶圓W的下表面時，來自超臨界流體L的壓力會使晶圓W的原有形狀或位置發生變形或偏離。然而，阻隔板340的存在可防止超臨界流體L被直接供應到晶圓W，故可防止上述問題發生。
    超臨界流體L可經由阻隔板340與處理室100的下壁104之間的空間來擴散到處理室100內。超臨界流體L的供應會使處理室100的內部壓力增大。在各實施例中，供應超臨界流體L的最低限度是直到處理室100的內部壓力達到超臨界流體L的臨界壓力。若在處理室100的內部壓力低於臨界壓力的條件下經由第二供應口320來供應超臨界流體，則超臨界流體在低壓條件下會液化，且自由掉落在晶圓W的上表面。這會導致晶圓W上的圖案腐爛。
    乾燥步驟可在處理室100的內部壓力高於臨界壓力的條件下執行。
    圖5是依照本發明之各實施例來以示意方式闡述基板乾燥步驟的圖式。請參照圖5，超臨界流體L可經由第二供應口320而被供應到處理室100內。經由第二供應口320而供應的超臨界流體L可與經由第一供應口310而供應的超臨界流體L相同。在各實施例中，經由第二供應口320而供應的超臨界流體L可被直接供應到晶圓W的上表面。晶圓W的上表面可能殘留的有機溶劑會被超臨界流體溶解，從而使晶圓W變乾燥。超臨界流體L可經由第二供應口320而供應預定的持續時間，然後中斷。
    圖6是依照本發明之各實施例來以示意方式闡述流體排放步驟的圖式。請參照圖6，流體排放口330可經配置以便將殘留在處理室100內的流體L'排放到處理室100外。排出殘餘流體L'可減小處理室100的內部壓力。殘餘流體L'的排放可被執行，直到處理室100的內部壓力下降到大氣壓。當處理室100的內部壓力保持在大氣壓水準時，下處理室120會下降，以便打開處理室100的內部空間。執行完乾燥製程的晶圓W可用搬運機械手(未繪示)來卸載。
    圖7是依照本發明之其他各實施例來以示意方式闡述基板乾燥步驟的圖式。請參照圖7，第一流體排放孔345可經配置以便穿透阻隔板340。第一流體排放孔345可包括從阻隔板340的上表面延伸到其下表面的通孔。第一流體排放孔345可形成在阻隔板340的中心區域附近。第一流體排放孔345可位於通過流體排放口330的垂直線上。在乾燥步驟過程中，大部分流體L'可停留在阻隔板340的上表面。在圖6之基板處理裝置中，殘留在阻隔板340上的流體L'可經由阻隔板340與處理室100的下壁104之間的空間而流入到流體排放口330內。在此情形下，流體L'的排放路徑會變長，且流體L'可能會流動不順暢，因為阻隔板340與處理室100之間的空間可能較狹窄。與之相比，在圖7之基板乾燥裝置中，殘留在阻隔板340上的流體L'可經由第一流體排放孔345而直接流入到流體排放口330內。換言之，流體L'的排放路徑可縮短。此外，由於流體L'的排放流路徑345及330可沿著相同的垂直線而形成，故流體L'容易流入到流體排放口330內。
    圖8是依照本發明之其他各實施例的一種阻隔板的平面圖。請參照圖8，阻隔板340可經成形以便具有第一流體排放孔345'與至少一個第二流體排放孔346。與圖7所示之第一流體排放孔345相似的是，第一流體排放孔345'可以垂直穿透阻隔板340的通孔的形式來提供，且可位於通過圖7之流體排放口330的同一條垂直線上。第二流體排放孔346可以垂直穿透阻隔板340的通孔的形式來提供。在各實施例中，阻隔板340可包括多個第二流體排放孔346，其配置在第一流體排放孔345'的周圍。經由第一流體排放孔345'與第二流體排放孔346，殘留在阻隔板340上的流體容易流到阻隔板340下方的區域。
    圖9是依照本發明之其他各實施例的一種基板乾燥裝置的剖面圖，且圖10是圖9之基板支撐構件的平面圖。
    請參照圖9與圖10，基板支撐構件200可包括第一豎杆210與第二豎杆220以及第一橫杆230與第二橫杆240。第一豎杆210的頂端部位可接合到處理室100的上壁102，且其底端部位可與處理室100的上壁102之間隔開預定的距離。在各實施例中，基板支撐構件200可包括一對相對而配置的第一豎杆210。
    第一橫杆230可分別接合到第一豎杆210的底端部位。每個第一橫杆230可以弧形板的形式來提供。在第一橫杆230的上表面可提供支撐突起物231。每個支撐突起物231可從第一橫杆230的上表面向上突起。晶圓W可被裝載到支撐突起物231上。
    每個第二豎杆220的底端部位可接合到處理室100的下壁104，且其頂端部位可與處理室100的上壁102之間隔開預定的距離。
    第二橫杆240可分別接合到第二豎杆220的頂端部位。每個第二橫杆240可以弧形板的形式來提供。當處理室100關閉時，第二橫杆240可與第一橫杆230處於同一水平面。第二橫杆240可經配置以便與第一橫杆230一起形成環形結構。在第二橫杆240的上表面可提供引導部位241。此引導部位241可從第二橫杆240的上表面向上突起，且位於被支撐突起物231支撐著的晶圓W的外側。引導部位241可以弧形板的形式來提供，且其長度與第二橫杆的長度相對應。有機溶劑可以具有高揮發性(volatility)與低黏性(viscosity)的流體的形式來提供，故有機溶劑會從晶圓W流下。若使用從晶圓W流下的有機溶劑來乾燥晶圓W的表面，則晶圓W會被污染，或者晶圓W的乾燥量(dry amount)會存在空間變化。豎杆210與引導部位241可經配置以便圍繞著晶圓W的下表面與側表面，故能夠防止有機溶劑從晶圓W流下。此外，即使在使用超臨界流體執行乾燥步驟之前，也會有一部分有機溶劑殘留在晶圓W上，因此防止有機溶劑自然乾燥是可能的。
    如圖11所示，當下處理室120下降以便打開處理室100的內部空間時，第二豎杆220與第二橫杆240會隨同下處理室120一起下降。晶圓W可被裝載到處理室100內，且躺臥在支撐突起物231上。當下處理室120升起以便關閉處理室100的內部空間時，第二豎杆220與第二橫杆240會隨同下處理室120一起升起。第二橫杆240的引導部位241可位於晶圓W的外側。
    圖12是阻隔板的結構差異與所產生的技術效應之間的關係曲線圖。圖12之縱軸代表晶圓表面將會產生的微粒數量，且橫軸代表三個不同的實驗。
    在實驗1中，阻隔板340配置成不具有圖7之第一流體排放孔345。阻隔板340的上表面341與晶圓W的下表面之間的空間為1.5 mm，阻隔板340的下表面342與處理室100的內底面105之間的空間為3 mm，以及阻隔板340的側表面343與處理室100的傾斜面108之間的空間為1.5 mm。
    在實驗2中，阻隔板340配置成具有圖7之第一流體排放孔345。阻隔板340的上表面341與晶圓W的下表面之間的空間、阻隔板340的下表面342與處理室100的內底面105之間的空間以及阻隔板340的側表面343與處理室100的傾斜面108之間的空間都與實驗1中相等。
    在實驗3中，阻隔板340配置成不具有圖7之第一流體排放孔345。阻隔板340的上表面341與晶圓W的下表面之間的空間為4 mm，阻隔板340的下表面342與處理室100的內底面105之間的空間為3 mm，以及阻隔板340的側表面343與處理室100的傾斜面108之間的空間為3 mm。
    實驗2的結果與實驗1的結果對比表明，阻隔板340的第一流體排放孔345有助於減少乾燥製程中將會產生的微粒數量。從該意義上講，容易理解的是，流體排放孔345能夠促進流體的排放流動。
    實驗3的結果與實驗1的結果對比表明，隨著(上表面341與晶圓W的下表面之間、下表面342與內底面105之間以及側表面343與傾斜面108之間)空間的增大，晶圓上將會產生的微粒數量減少。換言之，空間的增大能夠促進流體的排放流動。然而，若空間的增大超過了合理的水準，則處理室100的內部空間會隨之增大。這意味著處理時間應增加，以使得處理室100的內部壓力上升至臨界壓力。換言之，可針對影響排放流動以及使處理室100之內部壓力上升所需之處理時間的結構因素來進行空間設計。舉例而言，阻隔板340的上表面341與晶圓W的下表面之間的空間可介於0.2 cm至1.0 cm的範圍內，阻隔板340的下表面342與處理室100的內底面105之間的空間可介於0.1 cm至4 cm的範圍內，以及阻隔板340的側表面343與處理室100的傾斜面108之間的空間可介於0.1至20 cm的範圍內。
    上述各實施例中的有機溶劑可包括異丙醇(isopropyl alcohol)、乙基乙二醇(ethyl glycol)、1-丙醇(1-propanol)、(tetra hydraulic franc)、4-羥基(4-hydroxyl)、4-甲基(4-methyl)、2-戊酮(2-pentanone)、1-丁醇(1-butanol)、2-丁醇、甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、正丙醇(n-propyl alcohol)、二甲基乙醚(dimethylether)等等。
    依照本發明的各實施例，超臨界流體可用來溶解可能殘留在基板上的沖洗液。使用超臨界流體的結果是，能夠有效地乾燥基板。
    根據所供應的流體，基板處理裝置及其方法不僅能在乾燥製程中使用，也能在其他基板處理製程中使用。
    雖然本發明已以實施例具體揭露如上，然而容易為所屬技術領域中具有通常知識者所理解的是，在不脫離後附之申請專利範圍所界定之精神和範圍內，當可作形式上和細節上的更動。
    10‧‧‧基板處理裝置
    100‧‧‧處理室
    101‧‧‧內部空間
    102‧‧‧上壁
    103‧‧‧側壁
    104‧‧‧下壁
    105‧‧‧內底面
    106‧‧‧凹陷部位
    107‧‧‧側表面
    108‧‧‧傾斜面
    110‧‧‧上處理室
    120‧‧‧下處理室
    130‧‧‧處理室驅動部件
    131‧‧‧導杆
    132‧‧‧升降杆
    133‧‧‧驅動器
    200‧‧‧基板支撐構件
    210‧‧‧豎杆/第一豎杆
    220‧‧‧橫杆/第二豎杆
    230‧‧‧支撐突起物/第一橫杆
    240‧‧‧第二橫杆
    231‧‧‧支撐突起物
    241‧‧‧引導部位
    310、320‧‧‧供應口
    311‧‧‧流入孔
    330‧‧‧流體排放口
    340‧‧‧阻隔板
    341‧‧‧上表面
    342‧‧‧下表面
    343‧‧‧側表面
    345、345'、346‧‧‧流體排放孔
    350‧‧‧支撐杆
    A、B、C‧‧‧空間
    L、L'‧‧‧超臨界流體
    W‧‧‧晶圓/基板
    為了能更清楚地瞭解各實施例，下文將配合所附圖式做簡單說明。圖1至圖12代表本文所述的非限定性實施例。
    圖1是依照本發明之各實施例的一種基板處理裝置的剖面圖。
    圖2是圖1之處理室在密封狀態下的剖面圖。
    圖3是圖1之基板支撐構件的平面圖。
    圖4是依照本發明之各實施例來闡述增壓步驟的圖式。
    圖5是依照本發明之各實施例來以示意方式闡述基板乾燥步驟的圖式。
    圖6是依照本發明之各實施例來以示意方式闡述流體排放步驟的圖式。
    圖7是依照本發明之其他各實施例來以示意方式闡述基板乾燥步驟的圖式。
    圖8是依照本發明之其他各實施例的一種阻隔板的平面圖。
    圖9是依照本發明之其他各實施例的一種基板乾燥裝置的剖面圖。
    圖10是圖9之基板支撐構件的平面圖。
    圖11是圖9之處理室在打開狀態下的剖面圖。
    圖12是阻隔板的結構差異與所產生的技術效應之間的關係曲線圖。
    值得注意的是，提供這些圖式的目的是對特定實施例中所用的方法、結構及/或材料的一般特性進行舉例說明，以及對下文的文字敘述進行補充。然而，這些圖式未按比例繪示，可能無法準確地反映任何給定實施例的精確結構或性能特徵，且不應理解為是對實施例所包含的數值範圍或特性的界定或限定。舉例而言，為清楚起見，各分子、層、區域及/或結構元件的相對厚度及定位可能會被縮小或放大。各圖式中使用相似或相同的元件符號，其目的是表明存在著相似或相同的元件或結構特徵。
    10‧‧‧基板處理裝置
    100‧‧‧處理室
    101‧‧‧內部空間
    102‧‧‧上壁
    103‧‧‧側壁
    104‧‧‧下壁
    105‧‧‧內底面
    106‧‧‧凹陷部位
    107‧‧‧側表面
    108‧‧‧傾斜面
    110‧‧‧上處理室
    120‧‧‧下處理室
    130‧‧‧處理室驅動部件
    131‧‧‧導杆
    132‧‧‧升降杆
    133‧‧‧驅動器
    200‧‧‧基板支撐構件
    210‧‧‧豎杆
    220‧‧‧橫杆
    230‧‧‧支撐突起物
    310、320‧‧‧供應口
    311‧‧‧流入孔
    330‧‧‧流體排放口
    340‧‧‧阻隔板
    341‧‧‧上表面
    342‧‧‧下表面
    343‧‧‧側表面
    350‧‧‧支撐杆
    W‧‧‧晶圓/基板
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種基板處理裝置，包括：處理室，其經配置以便具有一內部空間；基板支撐構件，其位於所述處理室內，用以支撐基板；第一供應口，其經配置以便供應超臨界流體到所述內部空間的位於所述基板下方的區域；第二供應口，其經配置以便供應超臨界流體到所述內部空間的位於所述基板上方的其他區域；以及流體排放口，其經配置以便將所述超臨界流體從所述處理室排放到外界。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，更包括阻隔板，其位於所述基板支撐構件的下方，其中所述阻隔板的下表面與所述處理室的內底面之間隔開預定的空間，以及所述第一供應口經成形以穿透所述處理室的下壁，以便供應所述超臨界流體到所述阻隔板的所述下表面。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述流體排放口經成形以便穿透所述處理室的所述下壁，以及所述第二供應口經成形以便穿透所述處理室的上壁。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述基板支撐構件經配置以便支撐著所述基板的底面邊緣部位，且將所述基板的底面中心部位暴露出來。
    [5] 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述阻隔板具有傾斜的側表面，使得所述阻隔板的橫剖面面積隨著與所述阻隔板之所述下表面之間距離的增大而增大，以及所述處理室具有傾斜面，其傾斜著平行於所述阻隔板的所述側表面，將所述處理室的所述內底面與所述處理室的內側面連接起來。
    [6] 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述基板支撐構件包括：多個第一豎杆，其相互平行而配置，頂端部位接合到所述處理室的上壁；以及多個第一橫杆，其接合到所述第一豎杆的各別底端部位，在其上表面提供支撐突起物，所述基板躺臥在所述支撐突起物上。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中所述基板支撐構件更包括：多個第二豎杆，其相互平行而配置，底端部位接合到所述處理室的所述下壁；以及多個第二橫杆，其接合到所述第二豎杆的各別頂端部位，在其上表面提供所述支撐突起物，所述基板躺臥在所述支撐突起物上，其中所述第一橫杆呈弧形，且經配置以便與所述第二橫杆共面，使得所述第一橫杆連同所述第二橫杆一起形成環形結構。
    [8] 一種處理基板的方法，包括：增壓步驟，供應超臨界流體到處理室內，使得所述處理室的內部壓力上升到大氣壓以上；以及乾燥步驟，供應所述超臨界流體到所述處理室的位於基板上方的上方內部空間，其中所述增壓步驟包括供應所述超臨界流體到所述處理室的位於所述基板下方的下方內部空間。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中阻隔板位於所述基板的下方，且隔開形成所述基板的下表面，以及所述增壓步驟包括供應所述超臨界流體到所述阻隔板的下表面。
    [10] 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中所述增壓步驟被執行，直到所述處理室的內部壓力高於所述超臨界流體的臨界壓力。
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    KR102179716B1|2019-04-24|2020-11-17|무진전자 주식회사|기판 건조 챔버|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    KR1020110130385A|KR101874901B1|2011-12-07|2011-12-07|기판 건조 장치 및 방법|
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